Новая микроволновая диэлектрическая керамика BaZnP2O7 с низкой диэлектрической проницаемостью и высокой добротностью была синтезирована методом твердофазной реакции. Плотная керамика с относительной плотностью 96,9% была получена при спекании керамики при температуре 875 °C в течение 2 часов. Керамика BaZnP2O7, спеченная при 875°C в течение 2 ч, обладала хорошими диэлектрическими свойствами в микроволновом диапазоне, характеризуемыми как εr=8,4, Qf=27,925 ГГц (на 11,1 ГГц) и τf=56,7 ppm/°C.

1. Введение
Быстрое развитие индустрии беспроводной связи создало высокий спрос на разработку новых и улучшенных компонентов, работающих в микроволновом диапазоне. Усовершенствованные материалы подложек для интегральных схем микроволнового спектра требуют низкой диэлектрической проницаемости (εro10) для максимизации скорости распространения сигнала, высокой добротности (Q f) для повышения частотной избирательности и близкого к нулю температурного коэффициента резонансной частоты (τf ) для обеспечения стабильности АЧХ при изменении температуры [1,2]. В настоящее время многие керамики с низким εr, такие как Al2O3, AO-SiO2 (A = Ca, Mg, Zn) и MTiO3 (M = Mg, Ca), обладают хорошими диэлектрическими свойствами в микроволновом диапазоне, но они также имеют высокую температуру спекания, которая потребляет много энергии. Поэтому исследование СВЧ-диэлектрической керамики с низкой температурой спекания является полезным [3–5]. Пирофосфаты являются стабильными кристаллическими соединениями и, как сообщается, обладают полезными диэлектрическими свойствами для микроволнового излучения, а также относительно низкими температурами спекания [6–8]. Например, в одном эксперименте сообщалось, что керамика SrZnP2O7, спеченная при 940 °C, имеет значения εr = 7,02, Q f = 23 000 ГГц и τf = 84,7 ppm/°C [9]. В другом исследовании было обнаружено, что керамика CaZnP2O7, спеченная при 900 °C, демонстрирует хорошие диэлектрические свойства: εr=7,56, Qf=63,130, τf=82 м.д./°C [10]. В работе, проделанной Sebastian et al. [11,12], керамика LiMgPO4, спеченная при 950 °C, показала εr 6,6, Q f 79 100 ГГц и τf 55 ppm/°C. BaZnP2O7 в основном изучался в литературе как люминесцентный материал [13,14]. На сегодняшний день нет сообщений о микроволновых диэлектрических свойствах BaZnP2O7. В настоящей работе керамика BaZnP2O7 была получена методом твердофазной реакции. Детально изучены поведение материала при спекании, микроструктура и микроволновые диэлектрические свойства.

…………
4. Выводы
 Керамика BaZnP2O7 была синтезирована методом твердофазной реакции. Керамика может быть удовлетворительно спечена при низкой температуре 850 °С. Керамика BaZnP2O7, спеченная при 875 °C в течение 2 ч, показала хорошие диэлектрические свойства в микроволновом диапазоне, характеризуемые как εr = 8,4, Q f = 27 925 ГГц (11,1 ГГц) и τf = 56,7 ppm/°C. Этот материал имеет низкую диэлектрическую проницаемость, высокую добротность и средние отрицательные значения τf, что позволяет предположить, что он является привлекательным кандидатом для использования в качестве СВЧ-подложки.